其他產(chǎn)品及廠家

金屬化鍍鋁光纖 階躍折射率多模光纖耐高溫光纖 直徑400±5μm
數(shù)值孔徑：0.22；階躍折射率分布； 纖芯直徑：400 ± 5 μm；包層直徑：440 ± 5μm
更新時(shí)間:2025-09-08
近紅外鍍銅單模光纖 波長(zhǎng)范圍1300-1600nm 衰減9.5dB/km
波長(zhǎng)范圍 1300–1600nm；截止波長(zhǎng) <1250nm；衰減9.5db/ km@800nm；數(shù)值孔徑 0.13；模場(chǎng)直徑 9±0.5μm；包層直徑 125±1um；銅合金預(yù)涂覆層
更新時(shí)間:2025-09-08
功率探測(cè)器（CP系列）
功率探測(cè)器（cp系列）此探測(cè)器主要適用于高功率密度的脈沖激光器（如準(zhǔn)分子激光器、co?激光器、tea 激光器、nd-yag 激光器）。憑借高損傷閾值、短時(shí)間常數(shù)、較高靈敏度和大孔徑特性，該傳感器可廣泛應(yīng)用于多種場(chǎng)景。cp 25 s 測(cè)量頭專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，緊湊的尺寸使其更便于運(yùn)輸。但由于散熱器較小，僅支持短時(shí)間內(nèi)承受高功率。
更新時(shí)間:2025-09-08
功率探測(cè)器（BB系列）
功率探測(cè)器（bb系列）帶寬帶吸收層的功率測(cè)量頭所列功率測(cè)量頭基于熱電原理工作，即輻射產(chǎn)生的熱量會(huì)直接轉(zhuǎn)化為電壓。bb 系列測(cè)量頭配備寬帶吸收層，其中 bb 25 s 專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其外殼緊湊便于攜帶，但由于散熱面積小，僅支持短時(shí)間高功率測(cè)量。
更新時(shí)間:2025-09-08
SM-DCF 單模色散補(bǔ)償光纖（SM）
產(chǎn)品總覽隨著超快激光器的應(yīng)用越來越廣，大多數(shù)情況下需要適當(dāng)?shù)纳⒀a(bǔ)償技術(shù)。cycle gmbh提供多種色散補(bǔ)償技術(shù)。以下兩款是受歡迎的產(chǎn)品，基本上有庫(kù)存，而且交貨時(shí)間較短:保偏色散補(bǔ)償光纖（pm）單模色散補(bǔ)償光纖（sm）我們很高興為您提供色散補(bǔ)償?shù)膯文＃╯m）和保偏（pm）光纖模塊，可定制光纖長(zhǎng)度和合適的光纖連接器。請(qǐng)聯(lián)系我們了解更多信息。
更新時(shí)間:2025-09-08
耐高溫超大模場(chǎng)面積傳能光纖 纖芯直徑6400μm 包層直徑660μm
纖芯直徑：6400 μm 包層直徑：660 μm
更新時(shí)間:2025-09-08
空芯反諧振光纖 導(dǎo)光區(qū)間200nm~3500nm 衰減系數(shù)<20dB/km
數(shù)值孔徑（na）： 0.03-0.1 導(dǎo)光區(qū)間： 200nm~3500nm (理論值 ) 衰減系數(shù)： @1550 nm <20 db/km
更新時(shí)間:2025-09-08
石英傳像束 單絲直徑20μm 有效通光截面5mmx5mm 單絲透過率8%/M
像束有效通光截面 5mm x 5mm，單絲直徑 20μm，長(zhǎng)度 15m，數(shù)值孔徑na 0.22，單絲透過率 8%/m (產(chǎn)品測(cè)試階段暫時(shí)無法供應(yīng))
更新時(shí)間:2025-09-08
毛細(xì)管光纖 內(nèi)徑75±2um（聚酰亞胺涂層）
產(chǎn)品總覽可廣泛應(yīng)用于傳感、傳能、激光器領(lǐng)域，例如：真空紫外飛秒激光產(chǎn)生中的真空紫外高能量脈沖壓縮、整形；真空紫外色散波產(chǎn)生；孤子藍(lán)移；非本征光纖干涉儀制備；吸收譜式氣體組分檢測(cè)；液相生物化學(xué)檢測(cè)及光微流芯片的連接等。
更新時(shí)間:2025-09-08
摻鍺熔融石英梯度折射率鍍金多模光纖 800-1600nm 纖芯直徑62.5μm
核心材料：摻鍺二氧化硅，纖芯直徑：62.5μm+/-2%，核心非圓度：≤ 6%，包層直徑：125μm+/-2%，包層不圓度：≤ 2%，涂層直徑：155μm+/-10%，涂層不圓度：≤ 6%
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微結(jié)構(gòu)多芯傳感光纖 衰減系數(shù)1-2dB/km 包層直徑150±1μm
纖芯材料 高純二氧化硅；模場(chǎng)直徑 @1550 nm 3 ± 0.5 μm；衰減系數(shù) @1550 nm 1 - 2 db/km
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600um大纖芯傳能光纖 包層直徑660um 涂敷直徑850um
芯層 600um；包層直徑 660um；涂敷直徑 850um；芯包同心度 ≤3 um；數(shù)值孔徑 0.22；
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中遠(yuǎn)紅外全波段單模光子晶體光纖 工作波段1.5-8μm 典型衰減值2.5dB/m
工作波段范圍 1.5-8μm；典型衰減值 2.5db/m @1.55μm、α<1db/m @5-9μm；纖芯直徑 13μm；包層直徑 125μm；典型數(shù)值孔徑 0.4@5um；零色散波長(zhǎng)點(diǎn) 5μm
更新時(shí)間:2025-09-08
7芯高純SiO2多芯微結(jié)構(gòu)光纖 纖芯直徑2.1±0.3μm 裸纖直徑 150±3μm
纖芯數(shù)量:7芯 纖芯直徑：2.1 ± 0.3 μm 裸纖直徑：150 ± 3 μm 涂敷層直徑：250 ± 3 μm（丙烯酸酯） 數(shù)值孔徑：0.48 ± 0.05
更新時(shí)間:2025-09-08
基于silica V-Groove 2D 光纖陣列定制 SMF-28E FC/APC連接
光纖數(shù)量6*5，共30路，矩形排列，光纖間距1mm，間距誤差小于20um，角度誤差小于20mrad，單模光纖，，30根光纖用smf-28e，fc/apc連接器
更新時(shí)間:2025-09-08
可見光近紅外中空光纖 內(nèi)徑尺寸1500um 平均功率30W
鍍銀涂層中空光纖 包層材料：塑料 內(nèi)徑尺寸：1500um 脈沖能量：100mj@532nm,5ns 大平均功率：30w
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單能量勻化矩形纖芯激光傳輸光纖 芯徑375um 包層直徑660±5um
數(shù)值孔徑 0.22±0.02；芯徑 375×375±5um；包層直徑 660±5um；涂覆直徑 960±20um ,580/米
更新時(shí)間:2025-09-08
單包層泵浦能量傳輸多模光纖(摻氟玻璃包層 纖芯直徑200um 包層直徑220um)
筱曉光束傳輸光纖是階躍型折射率分布的多模光纖，采用高純合成二氧化硅玻璃纖芯和摻氟二氧化硅玻璃包層，光纖具有低損耗，高激光損傷閾值，高機(jī)械強(qiáng)度等特點(diǎn)。較大的數(shù)值孔徑大大提高光纖的耦合效率和抗彎能力。產(chǎn)品采用嚴(yán)格的光纖拉絲工藝和高性能光纖涂層，具有良好的可靠性、一致性與穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于材料加工、科學(xué)研究和醫(yī)療等領(lǐng)域，能quan面滿足各類客戶對(duì)激光傳輸?shù)囊蟆?/div> 更新時(shí)間:2025-09-08
二氧化硅非圓芯徑矩形勻化光纖 (Optran UV NCC WF RCT NA=0.20/0.48)
optran? uv ncc, optran? wf ncc二氧化硅 非圓 芯徑光纖ceramoptec?提供矩形、方形、八角形和其他纖芯/包層幾何形狀的光纖，與我們的uv/wv系列光纖相比，具有更多優(yōu)勢(shì)。
更新時(shí)間:2025-09-08
UHNA超高數(shù)值孔徑單模光纖 NA0.28
coherent/nufern公司uhna超高數(shù)值孔徑單模光纖是連接高數(shù)值孔徑光波導(dǎo)和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的理想橋接光纖，一方面uhna光纖和其他高數(shù)值孔徑光纖（波導(dǎo)）具有很高的耦合效率，另一方面，uhna光纖的成分組和使得uhna光纖和普通傳輸光纖熔接時(shí)纖芯熱擴(kuò)束，從而保證uhna和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的低損耗的熔接。
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200-2000nm 寬帶二氧化硅光纖 數(shù)值孔徑NA=0.12±0.02
波長(zhǎng) optran®uvwfs 200–2000nm 數(shù)值孔徑 (na):低 0,12 ± 0,02, 標(biāo)準(zhǔn) 0,22 ± 0,02,高 0,28 ± 0,02
更新時(shí)間:2025-09-08
Optran? UV NSS 碳層密封光纖 ,高抗日曬短波紫外 190–1200nm
optran? uv nss是為短波紫外線光譜范圍提供的一款新產(chǎn)品，高抗日曬能力和超qiang穩(wěn)定性使其具有廣泛的應(yīng)用前景。
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金屬化鍍鋁漸變折射率多模光纖 600-2000nm 衰減14dB/km
波長(zhǎng)范圍:600-2000 nm,衰減:14 db/km@1300nm,數(shù)值孔徑:0.22,纖芯直徑:50 μm,包層直徑:125 ±1 um,涂覆直徑:165±10 um
更新時(shí)間:2025-09-08
稀土鈥/鐠摻雜ZBLAN氟化物裸光纖 徑鐠10μm 數(shù)值孔徑:0.17+/-0.02
鈥/鐠摻雜,芯徑鐠10 +/- 1μm,數(shù)值孔徑:0.17 +/- 0.02@ 3000 nm
更新時(shí)間:2025-09-08
780-HP 單模光纖 780-970nm 4.4/125um
產(chǎn)品總覽780-hp高性能選擇截止波長(zhǎng)單模光纖是針對(duì)近紅外光進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)的特種單模光纖，用來滿足光纖耦合器制作，半導(dǎo)體激光器尾纖以及近紅外連續(xù)譜傳輸?shù)忍囟ǖ男枰取?/div> 更新時(shí)間:2025-09-08
熊貓型保偏摻鐿光纖 纖芯吸收85dB/m 截止波長(zhǎng)880±80nm
纖芯吸收 85 db/m@915nm ,模場(chǎng)直徑30.0 ± 0.5,截止波長(zhǎng):880 ± 80nm 包層直徑:250 ± 5.0um,400 ± 15um
更新時(shí)間:2025-09-08
摻鐿保偏雙包層光纖
產(chǎn)品總覽這種雙包層光纖具有高吸收和低光暗化特性。在各種材料加工應(yīng)用中顯示出優(yōu)良的特性。這種光纖提供了高雙折射，是設(shè)計(jì)脈沖光纖激光器和放大器的理想選擇。
更新時(shí)間:2025-09-08
雙包層鉺鐿共摻保偏光纖 (CorActive 10±2um )
產(chǎn)品總覽coractive公司生產(chǎn)的dcf-ey-10/128-pm是鉺鐿纖維共摻的雙包層保偏光纖，不僅可以擁有較高的摻雜濃度和高效的能量轉(zhuǎn)移，還可以降低所需的泵功率，由于這種配比的極化性能保持光纖具有高效率和的光束質(zhì)量，因此非常適合設(shè)計(jì)用于各種市場(chǎng)的低功耗光纖激光器和放大器，如激光雷達(dá)。
更新時(shí)間:2025-09-08
單模摻鐿纖芯泵浦光纖 工作波長(zhǎng)1030-1100nm 數(shù)值孔徑0.14-0.17
工作波長(zhǎng):1030-1100nm,數(shù)值孔徑:0.14-0.17,包層直徑:125 ±1 μm,涂層直徑(245 ± 7um)
更新時(shí)間:2025-09-08
大模場(chǎng)雙包層摻鐿光纖 纖芯直徑10.0±1.0um 損耗≤25dB/km
纖芯直徑:10.0 ± 1.0um,包層直徑125125 ± 2um,1200 nm時(shí)的纖芯背景損耗，≤ 25db/km
更新時(shí)間:2025-09-08
ZFG多模摻雜光纖 重金屬氟化物纖維光纖 0.04μm-4.5μm
數(shù)值孔徑 0.15~0.20；纖芯/包層直徑（μm）90~600 / 150~680；典型損耗(db/km) ＜10@2.5μm；短期彎曲半徑≥15~70mm；長(zhǎng)期彎曲半徑 ≥45~150mm
更新時(shí)間:2025-09-08
高摻雜EDF摻鉺光纖 高摻雜鉺增益光纖 截止波長(zhǎng)1250±150nm
吸收峰值在1530nm的范圍72-88db/m；截止波長(zhǎng)1250±150nm；纖芯數(shù)值孔徑 0.13； 模場(chǎng)直徑 8.7 - 10.3μm @1550nm；包層直徑 123-127μm
更新時(shí)間:2025-09-08
9.0um 高功耗臺(tái)式FP-QC中紅外量子聯(lián)激光器
峰值工作波長(zhǎng) 9.0um，輸出功率 400mw，光譜寬度 3nm，輸出隔離度 30db，臺(tái)式規(guī)格尺寸 340(l)×240(w)×100(h)mm
更新時(shí)間:2025-09-08
2-12um MCT中紅外 非冷卻 光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI系列
pvmi系列(pvmi-8/pvmi-10.6)是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外多結(jié)光伏探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式改善器件的參數(shù)，以達(dá)到的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt入射時(shí)性能佳。這是一款te別適用于在2 ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測(cè)器。
更新時(shí)間:2025-09-08
2.0-12.0um 非冷卻 光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 PEM系列
產(chǎn)品總覽pem系列是一款基于光電磁效應(yīng)的mct紅外光伏探測(cè)器。光入射會(huì)使探測(cè)器內(nèi)部半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子空穴對(duì)在磁場(chǎng)的作用下移動(dòng)。該器件在10.6 μm處探測(cè)性能佳，是一款te別適用于探測(cè)連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測(cè)器。
更新時(shí)間:2025-09-08
3.0-12.0um 超高速M(fèi)CT光浸式紅外光伏探測(cè)模塊
產(chǎn)品總覽uhsm-i-10.6是一款超高速單對(duì)紅外檢測(cè)模塊。它是基于mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒式光伏探測(cè)器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層(wznsear)窗可防止不必要的干擾效應(yīng)。
更新時(shí)間:2025-09-08
2-12um MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-4TE系列
pvi-4te系列是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有他本身的z佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。
更新時(shí)間:2025-09-08
2.9–5.5?m 碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 平衡/自動(dòng)平衡 紅外檢測(cè)模塊 1.8 MHz
產(chǎn)品總覽nipm-i-5是一款專為差分光信號(hào)檢測(cè)而設(shè)計(jì)的紅外檢測(cè)模塊。該設(shè)備可以在平衡和自動(dòng)平衡模式下運(yùn)行。該檢測(cè)模塊使用兩個(gè)基于 hgcdte 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的獨(dú)立檢測(cè)器。這些 ir 檢測(cè)器（信號(hào)和參考）精確匹配，以實(shí)現(xiàn)非常高的共模抑制比 (cmrr)。 nipm-i-5 專用于在激光的過量噪聲超過檢測(cè)器的基本噪聲的系統(tǒng)中運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-09-08
2.7-5.6um DC-18MHz碲鎘汞可編程實(shí)驗(yàn)室紅外檢測(cè)模塊(帶光浸式光伏探測(cè)器)
產(chǎn)品總覽labm-i-5是一種檢測(cè)模塊，其特征是基于hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)（pvi-2te-5-1×1-to8-wal2o3-36）的te冷卻、光學(xué)浸沒光伏紅外探測(cè)器，與可編程跨阻抗放大器（pip系列）集成。為了正常運(yùn)行，需要可編程的vigo熱電冷卻器控制器ptcc-01（單獨(dú)出售）和smart manager軟件（免費(fèi)軟件）。
更新時(shí)間:2025-09-08
碲鎘汞 MCT(HgCdTe)通用紅外檢測(cè)模塊 3.0–6.7?m DC–1 MHz
產(chǎn)品總覽um-i-6是一款通用的一體化紅外檢測(cè)模塊。它是基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒光伏探測(cè)器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻器控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。um-i-6檢測(cè)模塊是非常方便和用戶友好的設(shè)備，因此可以很容易地用于各種mwir應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-09-08
1-12um 中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI系列
pci系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，通過光學(xué)浸沒來改善器件的參數(shù)，具有的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)工作性能佳。截止波長(zhǎng)受gaas透過率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。
更新時(shí)間:2025-09-08
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景，性能，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測(cè)量。
更新時(shí)間:2025-09-08
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量化光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛
更新時(shí)間:2025-09-08
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2025-09-08
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2025-09-08
InGaAs蓋革模式雪崩光電二管 光譜響應(yīng)范圍0.9-1.7μm
光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm；響應(yīng)度 @1550nm: 0.85 a/w; 3針to46 封裝；smf-28e 光纖耦合；fc/apc, 不帶 tce
更新時(shí)間:2025-09-08
銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二管 900-1800nm
光譜響應(yīng)范圍 900-1700nm；光敏面直徑 10mm；響應(yīng)度@1550nm 0.95 a/w； 光敏材料 ingaas；5 pin腳
更新時(shí)間:2025-09-08
2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列
2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測(cè)器 pvi系列pvi系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的z佳性能。
更新時(shí)間:2025-09-08
InGaAs光電二管模塊 光譜響應(yīng)800-1600nm
光譜響應(yīng)范圍 800-1600nm，速度 1.25gbps，帶tia，5pin腳
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800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；
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