其他產(chǎn)品及廠家

熊貓型保偏摻鐿光纖 纖芯吸收85dB/m 截止波長880±80nm
纖芯吸收 85 db/m@915nm ,模場直徑30.0 ± 0.5,截止波長:880 ± 80nm 包層直徑:250 ± 5.0um,400 ± 15um
更新時間:2025-12-15
摻鐿保偏雙包層光纖
產(chǎn)品總覽這種雙包層光纖具有高吸收和低光暗化特性。在各種材料加工應用中顯示出優(yōu)良的特性。這種光纖提供了高雙折射，是設計脈沖光纖激光器和放大器的理想選擇。
更新時間:2025-12-15
雙包層鉺鐿共摻保偏光纖 (CorActive 10±2um )
產(chǎn)品總覽coractive公司生產(chǎn)的dcf-ey-10/128-pm是鉺鐿纖維共摻的雙包層保偏光纖，不僅可以擁有較高的摻雜濃度和高效的能量轉(zhuǎn)移，還可以降低所需的泵功率，由于這種配比的極化性能保持光纖具有高效率和的光束質(zhì)量，因此非常適合設計用于各種市場的低功耗光纖激光器和放大器，如激光雷達。
更新時間:2025-12-15
單模摻鐿纖芯泵浦光纖 工作波長1030-1100nm 數(shù)值孔徑0.14-0.17
工作波長:1030-1100nm,數(shù)值孔徑:0.14-0.17,包層直徑:125 ±1 μm,涂層直徑(245 ± 7um)
更新時間:2025-12-15
大模場雙包層摻鐿光纖 纖芯直徑10.0±1.0um 損耗≤25dB/km
纖芯直徑:10.0 ± 1.0um,包層直徑125125 ± 2um,1200 nm時的纖芯背景損耗，≤ 25db/km
更新時間:2025-12-15
ZFG多模摻雜光纖 重金屬氟化物纖維光纖 0.04μm-4.5μm
數(shù)值孔徑 0.15~0.20；纖芯/包層直徑（μm）90~600 / 150~680；典型損耗(db/km) ＜10@2.5μm；短期彎曲半徑≥15~70mm；長期彎曲半徑 ≥45~150mm
更新時間:2025-12-15
高摻雜EDF摻鉺光纖 高摻雜鉺增益光纖 截止波長1250±150nm
吸收峰值在1530nm的范圍72-88db/m；截止波長1250±150nm；纖芯數(shù)值孔徑 0.13； 模場直徑 8.7 - 10.3μm @1550nm；包層直徑 123-127μm
更新時間:2025-12-15
LIEKKI? Yb1200-30/250DC 高摻雜大模場雙包層摻鐿光纖
liekki? yb1200-30/250 光纖是非常高摻雜的光纖，具有非常高的包層吸收和低光暗化損耗、每應用長度的高效率和非常高的光束質(zhì)量。這些光纖是高功率脈沖光纖放大器的理想選擇，其中短應用長度對于避免非線性效應至關(guān)重要。 liekki? yb1200-30/250 光纖可用作雙包層 (yb1200-30/250dc) 和雙包層保偏 (yb1200-30/250dc-pm) 光纖。
更新時間:2025-12-15
重金屬氟化物IFG單模摻雜光纖 (截止波長2.95um)
重金屬氟化物ifg單模摻雜光纖 (截止波長2.95um)ifg光纖重金屬氟化物組成的復合玻璃光纖。與廣泛應用的石英光纖相比，ifg光纖具有傳輸波長范圍寬0.3μm~5.5μm具有摻雜稀土離子發(fā)射效率高等特點。
更新時間:2025-12-15
1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖 吸收峰值37dB/m 模場直徑5.4±0.7μm
吸收峰值 37db/m@1532nm，250m光纖長度上的吸收峰值波動 ≤2.5 %，背景損耗 (min.[1100–1300 nm]) ≤ 6 db/km，彎曲敏感度(100 m, 15 mm彎曲半徑, λ< 1620 nm) ≤ 0.1 db，截至波長≤ 1300 nm，模場直徑1550 nm 5.4 ± 0.7 μm，數(shù)值孔徑:0.23 ± 0.02，熔接衰減: ≤ 0.2 db
更新時間:2025-12-15
SM600 630nm單模光纖 SMF
產(chǎn)品總覽單模光纖(single mode fiber, smf)是指在確切波長，只支持一個傳輸橫模的光纖（可容許兩個簡并的偏振態(tài)模）。單模光纖通常纖芯在10微米量級，纖芯和包層之間的折射率差很。<1%)。
更新時間:2025-12-15
保偏摻鉺光纖 截止波長＜1300nm 纖芯吸收50.0±3.0dB/m
截止波長 ＜1300nm,纖芯吸收@1530nm :50.0±3.0 db/m,模場直徑@1550nm:5.0±1.0μm,內(nèi)包層直徑 125.0±1.0μm,涂覆層直徑 245.0±5.0μm
更新時間:2025-12-15
保偏摻鉺光纖 截止波長＜1300nm 涂覆層直徑245.0±5.0μm
截止波長 ＜1300nm,纖芯吸收@1530nm :40.0±3.0 db/m,模場直徑@1550nm:5.0±1.0μm,內(nèi)包層直徑 125.0±1.0μm,涂覆層直徑 245.0±5.0μm
更新時間:2025-12-15
摻鐠單模光纖 稀土摻雜 SMFF單模氟化物光纖 截止波長<950nm
纖芯數(shù)值孔徑0.25 +/- 0.01@1000nm；芯徑 2.1 +/- 0.5；截止波長 <950nm； 包層直徑 123±5 um ,涂覆層直徑 450±30um
更新時間:2025-12-15
雙包層氟化物光纖 芯徑2um 截止波長<2.5um 摻雜稀土元素
纖芯數(shù)值孔徑 0.21；芯徑 2um；截止波長 <2.5um； 摻雜稀土元素；涂覆層數(shù)值孔徑 0.5
更新時間:2025-12-15
聚酰亞胺涂覆層單模光纖 F-SM1500-5.3/80-P
產(chǎn)品總覽f-sm1500-5.3/80-p聚酰亞胺涂覆層單模光纖是一種包層減小的全玻璃彎曲不敏感光纖，可用于盤繞和嵌入式傳感器陣列，并支持1550-1650 nm工作波長范圍內(nèi)的單模光傳播。
更新時間:2025-12-15
VIS/IR 漸變折射率鍍金多模光纖（纖芯50um 金屬化光纖）
產(chǎn)品總覽ivg fiber，heracle品牌,鍍金光纖，鍍鋁光纖，鍍銅光纖,摻鍺熔融石英漸變折射率多模光纖，適用于光波為850 nm和/或1300 nm的數(shù)據(jù)通信。
更新時間:2025-12-15
可見光近紅外純硅芯SM單模光纖 SM-SC 1520-1650nm
工作波長 1520 - 1650nm；數(shù)值孔徑 0.17 - 0.19 模場直徑 6.7 - 7.6μm @1550nm ；包層直徑 80 ± 1μm
更新時間:2025-12-15
SM450短波長單模RGB光纖
產(chǎn)品總覽單模光纖(single mode fiber, smf)是指在確切波長，只支持一個傳輸橫模的光纖（可容許兩個簡并的偏振態(tài)模）。單模光纖通常纖芯在10微米量級，纖芯和包層之間的折射率差很。<1%)。
更新時間:2025-12-15
單模通信光纖 截至波長1260nm 纖芯直徑8.2um 數(shù)值孔徑0.14
單模截至波長 1260nm，纖芯直徑 8.2um，數(shù)值孔徑 0.14 ，模場直徑（μm） 9.2±0.4@1310 nm&10.4±0.5@1550nm
更新時間:2025-12-15
PM850nm 熊貓型保偏光纖 模場直徑5.5±1um 包層直徑124.5±1um
工作波長：850nm 模場直徑@850nm:5.5±1um 包層直徑:124.5±1um 涂覆層直徑:245±7um
更新時間:2025-12-15
CorActive 單包層保偏無源光纖 截止波長1550nm 數(shù)值孔徑0.25
數(shù)值孔徑–核心 0.25 ± 0.02 1550nm時的模場直徑–標稱值(μm ) 4.0 雙折射 > 1.4 x 10e-04 1550nm時的背景損耗( db/km ) < 10.0
更新時間:2025-12-15
保偏光纖 偏振PZ光纖 背景損耗≤2.8dB/km 截至波長≤1100nm
背景損耗 (min.[1100–1300 nm]) ≤ 2.8db/km；彎曲敏感度(100 m；15 mm彎曲半徑(λ< 1620 nm) ≤ 0.1 db；拍長 1.54mm；截至波長 ≤1100 nm；模場直徑5.4 ± 0.7 μm@1550 nm；數(shù)值孔徑 0.23 ± 0.02；熔接衰減 ≤0.2 db；偏振模色散 (100 m) ≤ 0.25 ps
更新時間:2025-12-15
780nm 短波長保偏光纖
產(chǎn)品總覽筱曉光子的熊貓型和領(lǐng)結(jié)型單模保偏(pm)光纖。兩者分別根據(jù)所用的應力棒來命名。應力棒與光纖纖芯平行，施加的應力在光纖纖芯內(nèi)產(chǎn)生雙折射，從而維持保偏工作。
更新時間:2025-12-15
633nm 短波長保偏光纖
產(chǎn)品總覽筱曉光子的熊貓型和領(lǐng)結(jié)型單模保偏(pm)光纖。兩者分別根據(jù)所用的應力棒來命名。應力棒與光纖纖芯平行，施加的應力在光纖纖芯內(nèi)產(chǎn)生雙折射，從而維持保偏工作。
更新時間:2025-12-15
532nm 短波長保偏光纖 工作波長488-633nm 數(shù)值孔徑0.10-0.13
工作波長范圍 488 - 633nm；截止波長 350 - 470nm；數(shù)值孔徑 0.10 - 0.13；模場直徑 3.0 - 4.1μm@488nm；衰減 ≤100 db/km@488nm
更新時間:2025-12-15
850nm 28Gbaud GaAs 1x4 Array PD Chip φ38um
850nm 28gbaud gaas 1x4 array pd chip φ38um850nm gaas pin 高速光探測器陣列芯片
更新時間:2025-12-15
導光柱陣列(石英 900-1064nm)|光通信
導光柱陣列(石英 900-1064nm)|光通信導光柱用于將多路光信號從光源傳輸?shù)焦饫w陣列，而微透鏡陣列（例如硅或熔融石英透鏡陣列）可以進一步聚焦或分束光束，提高耦合效率。導光柱陣列透鏡常用于光通信和高精度耦合。
更新時間:2025-12-15
環(huán)烯烴共聚物光學透鏡(COC 光潔度60/40)|太陽能
環(huán)烯烴共聚物光學透鏡(coc 光潔度60/40)|太陽能環(huán)烯烴共聚物（coc）在光學領(lǐng)域具有一系列的光學性能，具有較高的透明度，其透光率接近玻璃。coc材料的低雙折射對于需要高清晰度成像的光學系統(tǒng)至關(guān)重要。低雙折射有助于減少圖像失真和色彩失真，提高成像質(zhì)量。
更新時間:2025-12-15
微結(jié)構(gòu)復眼透鏡(PMMA 單/雙面)|安防監(jiān)控
微結(jié)構(gòu)復眼透鏡(pmma 單/雙面)|安防監(jiān)控復眼透鏡是由若干個小透鏡組成的透鏡陣列，可用于寬視場、高分辨率、低畸變的圖像采集。pmma具有透明度高、光澤度高、抗沖擊強度高、加工性能好等特點，可以制作出精度高、一致性好的小透鏡，從而提高復眼透鏡的成像質(zhì)量。
更新時間:2025-12-15
850nm 10Gbps GaAs 1x4 Array PD Chip φ60um
850nm 10gbps gaas 1x4 array pd chip φ60um850nm gaas pin 高速光探測器陣列芯片
更新時間:2025-12-15
太赫茲平凸、雙凸透鏡(TPX 聚甲基戊烯)
太赫茲平凸、雙凸透鏡(tpx 聚甲基戊烯)作為現(xiàn)成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 thz 頻段的 tpx 和 ptfe 透鏡及光學系統(tǒng)。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 ptfe，teflon?）制成，其介電常數(shù)較低，在 520 ghz 時約為 1.96，折射率為 1.4。
更新時間:2025-12-15
高速線性太赫茲掃描儀(300GHz 5000lps)|工業(yè)檢測
高速線性太赫茲掃描儀(300ghz 5000lps)|工業(yè)檢測300 ghz 線性掃描儀是我們在高速太赫茲成像領(lǐng)域的又一突破。該掃描儀擁有所未有的空間分辨率和很高的成像速度，可幫助您比以往更快地發(fā)現(xiàn)原本不可見的問題。我們的掃描儀可用于檢測隱藏缺陷或進行各行各業(yè)的無損檢測。
更新時間:2025-12-15
高速線性太赫茲相機(100GHz 5000fps)|工業(yè)檢測
高速線性太赫茲相機(100ghz 5000fps)|工業(yè)檢測該產(chǎn)品既擁有每秒 5000 幀的超高成像速度，又易于集成到任何工業(yè)流程中。太赫茲成像掃描儀適用于大多數(shù)傳送帶，傳送帶速度高達 15 米/秒。其超快線性傳感器陣列旨在滿足許多工業(yè)應用的無損檢測和質(zhì)量控制需求。
更新時間:2025-12-15
2-12um MCT中紅外 非冷卻 光浸式多結(jié)光伏探測器 PVMI系列
pvmi系列(pvmi-8/pvmi-10.6)是基于復雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外多結(jié)光伏探測器，采用光學浸沒的方式改善器件的參數(shù)，以達到的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能佳。這是一款te別適用于在2 ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測器。
更新時間:2025-12-15
2.0-12.0um 非冷卻 光電磁MCT紅外光伏探測器 PEM系列
產(chǎn)品總覽pem系列是一款基于光電磁效應的mct紅外光伏探測器。光入射會使探測器內(nèi)部半導體產(chǎn)生的電子空穴對在磁場的作用下移動。該器件在10.6 μm處探測性能佳，是一款te別適用于探測連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測器。
更新時間:2025-12-15
模擬應用臺式無抖動自動調(diào)制器偏置控制器 1550nm 耦合器1530-1625nm
mbc-an-lab-a1: 內(nèi)置耦合器,1530-1625 nm,輸入光功率@1550 nm 手動設置:6.4-26dbm
更新時間:2025-12-15
1550nm 保偏聲光調(diào)制器 工作頻率200MHz 承受激光功率≤0.5W
工作波長 1550 nm；工作頻率 200mhz；承受激光功率 ≤0.5 w；承受脈沖激光峰值功率 ≤1 kw（5kw定制）；插入損耗 ≤3 db；光脈沖上升時間 12ns；光纖連接頭 fc/apc
更新時間:2025-12-15
保偏聲光調(diào)制器 工作波長1550nm 工作頻率150MHz 承受激光功率≤0.5W
工作波長 1550 nm；工作頻率 150mhz；承受激光功率 ≤0.5 w；承受脈沖激光峰值功率 ≤1 kw（5kw定制）；插入損耗 ≤3 db；光脈沖上升時間 20ns；光纖連接頭 fc/apc
更新時間:2025-12-15
1550nm 保偏聲光調(diào)制器 150MHz
1550nm 保偏聲光調(diào)制器 150mhzmicrophotons的聲光調(diào)制器由于其調(diào)制消光比高、承受功率高等優(yōu)點，廣泛應用于光纖傳感領(lǐng)域。
更新時間:2025-12-15
1310m 保偏聲光調(diào)制器 工作頻率200MHz 承受激光功率≤0.5W
工作波長 1310 nm；工作頻率 200mhz；承受激光功率 ≤0.5 w；承受脈沖激光峰值功率 ≤1 kw（5kw定制）；插入損耗 ≤3 db；光脈沖上升時間 12ns；光纖連接頭 fc/apc 價格含驅(qū)動
更新時間:2025-12-15
1064nm 保偏聲光調(diào)制器 光功率≤0.5 W 脈沖激光峰值功率≤1kW
工作波長 1064 nm；承受激光功率 ≤0.5 w；承受脈沖激光峰值功率 ≤1 kw（5w定制）；材料 氧化碲；插入損耗 ≤3 db；消光比pper ≥50 db；偏振消光比 ≥20 db；電壓駐波比 ≤1.2:1
更新時間:2025-12-15
高帶寬 固定/可變增益低噪聲電壓放大器 (帶寬DC-100/AC-100/AC-500等)
產(chǎn)品總覽va系列電壓放大器是筱曉光子針對微弱傳感電壓信號放大，數(shù)據(jù)采集前置放大的應用需求研發(fā)。
更新時間:2025-12-15
臺式高電壓功率放大器 臺式開環(huán)放大器 驅(qū)動電壓150V
單通道；用于壓電pzt測試；電壓輸出范圍 -30 v to 150 v dc；大驅(qū)動電壓為150 v
更新時間:2025-12-15
迷你多通道壓電驅(qū)動器
產(chǎn)品總覽壓電驅(qū)動器是多通道壓電驅(qū)動器，它是變形鏡和任何類型的壓電驅(qū)動器的理想選擇。
更新時間:2025-12-15
1550nm四層單模光纖拉伸器FC/APC
1550nm四層單模光纖拉伸器fc/apcoptiphase提供的pz1型小封裝光纖拉伸器是一種低成本的光纖盤繞壓電陶瓷換能器（piezo-electric）器件，作為一種性能的低成本相位調(diào)制器。
更新時間:2025-12-15
單通道PZT驅(qū)動電壓模塊
產(chǎn)品總覽該單通道控制器為916b型光纖拉伸器的壓電致動器提供連續(xù)可變的0至+150v電壓。壓電致動器是大電容負載，需要大電流容量的驅(qū)動器。所需電源為115v ac，0. 2amp。此外，還提供在220v ac下使用的控制器。
更新時間:2025-12-15
壓電式光纖拉伸器 113.9mmX44.5mmX65mm 光纖長度/匝數(shù)249mm
916b 外形尺寸 長度 113.9mm 寬度 44.5mm 高度 65mm 光纖長度/匝數(shù) 249mm
更新時間:2025-12-15
壓電式光纖拉伸器 標稱電壓0.01um/V 可拉伸至19um
光纖帶有250微米的緩沖器-每個光纖繞組的標稱電壓為0.01微米/伏。，大38個繞組，可拉伸至19微米。
更新時間:2025-12-15

最新產(chǎn)品

熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗機 酸度計（PH計） 離心機 高速離心機 冷凍離心機 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標準物質(zhì) 生物試劑