等離子體刻蝕設備產品及廠家
?1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統?2.系統可用于研發(fā)和小批量生產?3.系統兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空
更新時間:2025-08-13
1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統2.系統可用于研發(fā)和小批量生產3.系統兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空
更新時間:2025-08-13
對應光學器件、mems制造的干法刻蝕裝置nld-5700對應光學器件、mems制造的干法刻蝕裝置nld-5700是搭載了磁性中性線（nld- neutral loop discharge）等離子源的量產用干法刻蝕裝置。（可實現產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子）
更新時間:2025-08-13
eis-200erp是由elionix研發(fā)的離子束刻蝕設備，緊湊和高性能，使用 ecr 離子束可以進行納米蝕刻和沉積，制品特微。
更新時間:2025-08-13
eis-1500是由elionix研發(fā)的108mm的大直徑光束，通過充分利用光束面內分布監(jiān)控功能，可以實現各向異性干法蝕刻的離子束刻蝕設備。
更新時間:2025-08-13
sentech si 500 ccp 系統使用動態(tài)溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優(yōu)勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩(wěn)定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件。
更新時間:2025-08-13
sentech si 591 緊湊型 rie 等離子蝕刻系統具有負載鎖定功能，是氯基和氟基 rie 的緊湊型解決方案。具有出色的工藝可重復性和等離子蝕刻工藝靈活性，這得益于真空負載鎖定和由計算機控制的等離子體蝕刻工藝條件。靈活性、模塊化和小尺寸是 sentech si 591 compact 的設計特點？梢匝b載直徑達 200 mm 的樣品和載體。該系統可以配置為穿墻操作或具有多種選項的小占地
更新時間:2025-08-13
sentech etchlab 200 rie等離子蝕刻系統代表了一系列直接加載等離子體蝕刻系統，結合了rie平行板電設計的優(yōu)點和直接負載的成本效益設計。
更新時間:2025-08-13
sentech si 500 c 低溫 icp-rie 等離子體蝕刻系統代表了電感耦合等離子體 （icp） 處理的沿技術，其寬溫度范圍為 -150 °c 至 150 °c。 該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個動態(tài)溫控基板電、一個受控的真空系統和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設計特點。該系統可以配置為處理各種精細結si, sio2, si3n4, gaas和inp
更新時間:2025-08-13
lmec-300™ 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設備，應用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復雜的金屬疊層，例如磁存儲器的磁隧道節(jié)（mtj）、相
更新時間:2025-08-13
pangea®a系列常規(guī)ibs設備由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體等。柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制，提升了工藝可控性。
更新時間:2025-08-13
lorem® a 系列常規(guī) ibs 設備，由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產生遠離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產物的影響。這種物理方案，幾
更新時間:2025-08-13
herent® chimera® a 金屬硬掩膜刻蝕設備，為針對 12 英寸 ic 產業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（tin）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open） 這一
更新時間:2025-08-13
herent® chimera® m 金屬刻蝕設備，為針對12英寸ic產業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導線互連工藝所開發(fā)的用產品， 同時也可應用于鋁墊（al pad）刻蝕。該設備承襲了 chimera® a 的先進設計理念，具有出色的均勻性調控手段， 可以為客戶提供高性價比的解決方案。
更新時間:2025-08-13
tebaank® pishow® p 硅刻蝕設備是面向8英寸集成電路制造的量產型設備設備由電感耦合等離子體刻蝕腔（icp etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構成適用于0.11微米及其它技術代的多晶硅柵（poly gate）、側墻（spacer）、淺溝槽隔離（sti）工藝
更新時間:2025-08-13
kessel™ pishow® m 金屬刻蝕設備為可用于8英寸的ic產線鋁金屬工藝的量產型機臺，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設計，保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性（片內<8%，片間<5%）和顆？刂。在4微米厚鋁刻蝕工藝中，可以提供8000片/月的產能。
更新時間:2025-08-13
詳細介紹icp是一種加工微納結構的等離子刻蝕技術。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)點。目被廣泛應用于si、sio2、sinx、金屬、iii-v族化合物等材料的刻蝕？蓱糜诖笠(guī)模集成電路、mems、光波導、光電子器件等域中各種微結構的制作。
更新時間:2025-08-13
pishow® d 系列深刻蝕設備，是針對8英寸~6英寸產線或科研深硅刻蝕工藝的用設備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設計，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。提供si bosch工藝的解決方案。該設備高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可幫助不同客戶實現產能升。
更新時間:2025-08-13
ccp腔室適用于制造微納結構的等離子刻蝕技術。在反應離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產生化學反應，生成可揮發(fā)產物后，隨真空抽氣系統排出。魯汶儀器的 haasrode® avior® a 在性價比和空間利用率上優(yōu)點突出，可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。
更新時間:2025-08-13
plasmapro 100 cobra icp rie系統利用高密度電感耦合等離子體實現快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括gaas和inp激光光電子、sic和gan電力電子/射頻以及mems和傳感器在內的多個市場域。
更新時間:2025-08-13
本設備主要用于半導體刻蝕，能夠兼容離子束刻蝕和反應離子刻蝕功能，使用氣態(tài)化學刻蝕劑與材料產生反應來進行刻蝕，并形成可從襯底上移除的揮發(fā)性副產品，通過真空系統排出，特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( pi) 薄膜、金屬等材料。
更新時間:2025-07-14
mems 蝕刻機tm 是使用xef2的簡單的各向同性硅蝕刻系統。通過將硅用作犧牲層，可以為mems的釋放提 供一種具有成本效益的解決方案。在我們看來，硅用作犧牲層并用xef2去除是微加工中使用的較好的釋放 工藝。
更新時間:2025-06-26
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