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7405ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭，硬件測(cè)試，開放實(shí)驗(yàn)室，DDR測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-09-09
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
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遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常，memory mapping空間讀寫異常
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cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
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pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
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pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
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pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
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pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái)，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
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pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào)，其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
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pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低，對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
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pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求，個(gè)是type00h配置請(qǐng)求，另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
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pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
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pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
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pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
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pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
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梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問(wèn)題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
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emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
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emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
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emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
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emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
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emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
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相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō)，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
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emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
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emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
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emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
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emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
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相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
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相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線 tuning 過(guò)程。
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相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
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電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
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數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-09-09
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開始接收 response。
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clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試，眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
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數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
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復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程（bus testing procedure），測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-09-09
產(chǎn)品特點(diǎn)： ky3748特斯拉計(jì)，使用靈活、方便，用于測(cè)量形狀各異的磁體表面磁場(chǎng)，如環(huán)形、柱、方塊、多極磁鋼，直接用數(shù)字顯示磁場(chǎng)強(qiáng)度。
更新時(shí)間:2025-09-09
本套管道內(nèi)壁輪廓測(cè)量系統(tǒng)是一種檢測(cè)工具，它使用激光表面輪廓測(cè)量來(lái)提供高精度的橫截面尺寸輪廓和難以觸及的管狀內(nèi)部的測(cè)量，無(wú)論其幾何形狀或材料表面如何。它特別適合定子檢查，設(shè)計(jì)用于測(cè)量長(zhǎng)度達(dá)10英尺(3米)的規(guī)則和不規(guī)則尺寸半；使檢查定子部分長(zhǎng)可達(dá)20英尺(6米)。
更新時(shí)間:2025-09-09
說(shuō)明：本套桌面式氣體沖蝕試驗(yàn)機(jī)astm-g76 gas jet用于確定攜帶顆粒的氣體射流對(duì)實(shí)驗(yàn)材料造成的磨損程度。實(shí)驗(yàn)材料可以是硬涂層和軟涂層，也可以是整塊材料。astm g76 gas jet空氣射流沖蝕試驗(yàn)機(jī)利用控制腐蝕劑流量對(duì)試樣經(jīng)行沖擊試驗(yàn)。該測(cè)試系統(tǒng)允許用戶控制顆粒尺寸、沖擊速度、入射角度、環(huán)境狀況和溫度。抬高的x軸導(dǎo)軌提供了超快動(dòng)態(tài)性
更新時(shí)間:2025-09-09
干涉測(cè)量鏡頭可用在非接觸光學(xué)壓型測(cè)量設(shè)備上，通過(guò)此鏡頭可得到表面位圖和表面測(cè)量參數(shù)等。也可用來(lái)檢測(cè)表面粗糙度，測(cè)量精度非常高，在一個(gè)波長(zhǎng)之內(nèi)。一束光通過(guò)分光鏡，可將光直接射向樣品表面和內(nèi)置反光鏡。從樣品表面反射的光線通過(guò)再結(jié)合，就產(chǎn)生了干涉圖案。與mirau鏡頭比起來(lái)，michelson鏡頭擁有更長(zhǎng)的工作距離，更寬的視場(chǎng)和更大的焦深。mirau鏡頭用在需要高倍率和/或大數(shù)值孔徑的場(chǎng)合。采用niko
更新時(shí)間:2025-09-09
沖蝕磨損是由顆？諝馍淞髯矒粼诠腆w表面上的沖擊而引起的。侵蝕導(dǎo)致的航空航天零部件，燃?xì)廨啓C(jī)，鍋爐和電廠的生命損失。為了限度地提高壽命，適當(dāng)選擇的材料在這樣的應(yīng)用中使用是必需的？諝馍淞鳑_蝕astm g76試驗(yàn)機(jī)便于在各種條件下測(cè)定的磨損率。磨損率可以用來(lái)確定在給定操作條件的材料。它也可以被用來(lái)預(yù)測(cè)使用壽命和壽命周期成本。
更新時(shí)間:2025-09-09
高溫介電溫譜測(cè)試系統(tǒng)運(yùn)用三電法設(shè)計(jì)原理測(cè)量。并參考美國(guó) a.s.t.m 標(biāo)準(zhǔn)。重復(fù)性與穩(wěn)定性更好，采用雙屏蔽高頻測(cè)試線纜，提高測(cè)試參數(shù)的精確度，同時(shí)抗干擾能力更強(qiáng)。本設(shè)備也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。搭配labview系統(tǒng)開發(fā)的huacepro軟件，具備彈性的自定義功能，可進(jìn)行介電溫譜、頻譜、升溫速度、測(cè)量參數(shù)等設(shè)置，符合壓電陶瓷與其它新材料測(cè)試多樣化的需求。電壓、過(guò)電
更新時(shí)間:2025-09-09
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-09-09
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來(lái)確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過(guò)的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-09-09
超聲波身高體重體檢機(jī)，采用微電腦控制，全觸摸液晶屏顯示操作步驟，歐姆龍血壓計(jì)和歐姆龍脂肪計(jì)的使用使本機(jī)更顯高貴。本機(jī)采用原裝進(jìn)口打印機(jī)及切紙刀，經(jīng)久耐用。
更新時(shí)間:2025-09-09
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：手腕帶測(cè)試儀主要監(jiān)視手腕帶是否戴好，檢測(cè)手腕帶是否損壞、太松或斷線儀器將會(huì)報(bào)警提示，從而保證了人體的靜電經(jīng)過(guò)手腕帶釋放到大地的可靠性。 www.bjkaiyun.com技術(shù)參數(shù)：
更新時(shí)間:2025-09-09
產(chǎn)品特點(diǎn)：儀器由示波管、理想二極管、mf-47萬(wàn)用表、電源及配置的幾組專用線圈等部分組成。采用組合型結(jié)構(gòu)，對(duì)稱性高，具有直觀、可動(dòng)手性強(qiáng)、操作方便的特點(diǎn)。采用負(fù)高壓安全可靠。儀器各部分包括面板、示波管、理想二極管、mf-47萬(wàn)用表等，均可拆卸便于維修。整個(gè)儀器采用積木式裝入箱內(nèi)，一儀多用。
更新時(shí)間:2025-09-09
jcb4甲烷檢測(cè)報(bào)警儀該產(chǎn)品是新一代微型智能檢測(cè)儀，可連續(xù)檢測(cè)存在易燃、易爆可燃性氣體混合物環(huán)境中的甲烷濃度。具有聲光報(bào)警，電壓顯示，欠壓報(bào)警，零點(diǎn)自動(dòng)跟蹤，調(diào)校使用方便等特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-09-09
-簡(jiǎn)化了結(jié)構(gòu)，但可以地測(cè)量推拉力-量表有兩種刻度：克和盎司-非常適合現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)使用和需要儀表而無(wú)需維護(hù)的應(yīng)用-精密彈簧經(jīng)過(guò)單獨(dú)校準(zhǔn)并通過(guò)自重檢查-由于校準(zhǔn)保持在±1刻度上，因此秤具有完全的精度-精度：1個(gè)刻度，max容量：220克（8盎司），公制容量：5克（220克）
更新時(shí)間:2025-09-09
wxh賽默飛世爾termofisherfei 是一家生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)多種科學(xué)儀器的業(yè)內(nèi)先企業(yè)。 其產(chǎn)品包括電子和離子束顯微鏡，以及 可滿足多個(gè)行業(yè)納米尺度應(yīng)用的相關(guān)產(chǎn)品，這些行業(yè)橫跨： 工業(yè)和理論 材料研究、生命科學(xué)、半導(dǎo)體、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、自然資源 等等諸多域。 為全球納米技術(shù)團(tuán)體提供的顯微鏡學(xué)解決方案
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vega儀表由德國(guó)vega(威格)研發(fā)的儀器儀表，德國(guó)vega(威格)公司在1959年成立于黑森林，是上一家的物位及壓力測(cè)量?jī)x表的制造商。vega產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于：石化、化工、制藥業(yè)、食品加工、和飲用水處理、污水處理廠、垃圾填埋場(chǎng)、采礦和能源發(fā)電、對(duì)鉆井平臺(tái)、船舶、飛機(jī)。德國(guó)vega公司在航空航天，國(guó)防，金融，工業(yè)和公共部門等域的技術(shù)先
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