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mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試 mipi屏 初始化指令問題像素可以放映到你的抓圖上面的大小，該像素就是說明你的cmos或者是ccd感光元件的像素點(diǎn)多少，可以想象在相同的面積上，數(shù)量越多，感光元件肯定要越小，感光元件小，那么圖像的質(zhì)量其實(shí)會(huì)變差，這個(gè)當(dāng)然可以理解，但是從大的方面來說，只要鏡頭好，光源充足，那么效果也會(huì)變好，這樣畫面就比像素低的更加的細(xì)膩，所以高像素的好處就在這里。
更新時(shí)間:2025-09-10
mipi眼圖 數(shù)據(jù) clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問題 mipi調(diào)試過程mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口，可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。
更新時(shí)間:2025-09-10
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-09-10
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng)，配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-09-10
fluke 6200-2 pat測(cè)試儀是輕便、小巧的一鍵式解決方案，6200-2的設(shè)計(jì)宗旨是在不影響您和客戶安全的前提下更快地工作。一鍵式解決方案...只需按下一個(gè)按鈕，即可啟動(dòng)預(yù)設(shè)測(cè)試程序。簡(jiǎn)化測(cè)試實(shí)現(xiàn)更快更高效的工作方式。6200-2重約為3 kg，重量輕、易攜帶。堅(jiān)固耐用的便攜箱(標(biāo)配)可以提供運(yùn)輸保護(hù)還提供額外存儲(chǔ)空間。體積小...該便攜式電器測(cè)試儀結(jié)構(gòu)非常緊湊，并且具有福祿克一貫的耐用性
更新時(shí)間:2025-09-10
加工定制：是類型：指針式電阻測(cè)量?jī)x表品牌：yaos堯順型號(hào)：dx200ghd測(cè)量范圍：10-5--105ω（mω）電 源：220±10%測(cè)試電壓：2 mv、20 mv、200 mv、2v（v）精度：0.1%重量：8.5（kg）尺 寸：345mm*480mm*145mm規(guī)格：φ30x180
更新時(shí)間:2025-09-10
magnelab電流互感器（ct）提供準(zhǔn)確，無損（非接觸）的單或重復(fù)單或雙的測(cè)量 脈沖或連續(xù)波。
更新時(shí)間:2025-09-10
lscg leak-seeker提高了可燃?xì)怏w檢漏儀的標(biāo)準(zhǔn)，使其成為暖通空調(diào)人員定位和查明泄漏的工具。lscg幫助您確保沒有危險(xiǎn)的泄漏，因此您可以保持。先可燃?xì)怏w泄漏檢測(cè)儀大型背光lcd顯示屏可獲得讀
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohaus.cav64c(外校)價(jià)格:8800元.最大量程:65g到260g.可讀性:0.0001g.自動(dòng)內(nèi)部/外部校正,標(biāo)配rs232接口,性能出眾,應(yīng)用豐富.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohaus.dv114價(jià)格:21500元.最大量程:81g到310g.可讀性:0.00001g到0.0001g.溫度觸發(fā)全自動(dòng)內(nèi)校,標(biāo)配rs232接口,專業(yè)稱量,完美演繹.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohausep64c價(jià)格:14900元.最大量程:62g到210g.可讀性:0.0001g.溫度觸發(fā)全自動(dòng)內(nèi)校,標(biāo)配rs232接口,性能優(yōu)異,追求卓越.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohausar224cn價(jià)格:8800元.最大量程:65g到220g.可讀性:0.0001g.自動(dòng)外校,標(biāo)配rs232接口,經(jīng)典系列,全新呈現(xiàn).
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohauscp64價(jià)格:6500元.最大量程:65g到220g.可讀性:0.0001g.自動(dòng)內(nèi)部/外部校正,標(biāo)配rs232接口,全新設(shè)計(jì),優(yōu)異性價(jià)比.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohausep213c價(jià)格:13900元.最大量程:210g到8100g.可讀性:0.1g到0.001g.溫度觸發(fā)全自動(dòng)內(nèi)校,標(biāo)配rs232接口,性能優(yōu)異,追求卓越.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohaus.cav212(外校)價(jià)格:4600元.最大量程:51g到8100g.可讀性:0.1g到0.001g.自動(dòng)內(nèi)部/外部校正,標(biāo)配rs232接口,性能出眾,應(yīng)用豐富.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohauscp512價(jià)格:4300元.最大量程:151g到4200g.可讀性:0.01g到0.001g.自動(dòng)內(nèi)部/外部校正,標(biāo)配rs232接口,全新設(shè)計(jì),優(yōu)異性價(jià)比.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohausar522cn價(jià)格:4800元.最大量程:151g到4200g.可讀性:0.1g到0.001g.自動(dòng)外校,標(biāo)配rs232接口,經(jīng)典系列,全新呈現(xiàn).
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohaussps401f價(jià)格:1300元.最大量程:200g到6000g.可讀性:1g到0.01g.自動(dòng)外部校正,標(biāo)配rs232接口,精巧耐用,性能優(yōu)越.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohausse6000f價(jià)格:680元.最大量程:200g到6000g.可讀性:1g到0.01g.自動(dòng)外部校正,標(biāo)配rs232接口,便攜可靠,靈活選擇.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohauscl201t價(jià)格:180元.最大量程:200g到5000g.可讀性:1g到0.1g.機(jī)械結(jié)構(gòu),軟件程序雙重過載保護(hù)設(shè)計(jì),可靠,便攜.
更新時(shí)間:2025-09-10
品牌:ohausv31x6cn價(jià)格:1500元.最大量程:200g到6000g.可讀性:0.01g到1g.獲得nsf認(rèn)證和usda認(rèn)證,符合haccp認(rèn)證.
更新時(shí)間:2025-09-10
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具，硬件測(cè)試，ddr測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2025-09-10
7405ETS-LINDGREN近場(chǎng)探頭，硬件測(cè)試，開放實(shí)驗(yàn)室，DDR測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 ets-lindgren 7405近場(chǎng)探頭 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-09-09
misenbo 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 硬件實(shí)驗(yàn)室 nemtest dito 靜電放電模擬器 儀器資訊
更新時(shí)間:2025-09-09
遇到的問題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫正常，memory mapping空間讀寫異常
更新時(shí)間:2025-09-09
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問題- serdes電源問題- 時(shí)鐘問題
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無時(shí)無刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來說遇到的挑戰(zhàn)和問題也就越來越嚴(yán)峻。
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào)，其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來越低，對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來越來越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類配置請(qǐng)求，個(gè)是type00h配置請(qǐng)求，另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-09-09
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-09-09
梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開放實(shí)驗(yàn)室 開放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
更新時(shí)間:2025-09-09
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-09-09
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過大的問題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-09-09
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-09-09
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問題。我們通過使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-09-09
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-09-09
相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來說，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-09-09
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-09-09
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-09-09
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過發(fā)cmd的方式來實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-09-09
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-09-09
相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-09-09
最新產(chǎn)品
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